高純金屬材料，是按照金屬材質(zhì)中，所摻雜的雜質(zhì)來計算。通常金屬材料要達到百萬分之幾。通常碳元素不會計入金屬雜質(zhì)之中，測試的方法一般是利用減量法來進行衡量，這種方法主要還是用來測量金屬材料的雜質(zhì)成分。

高純金屬成分分析要求檢測多至70種，少則十幾種的金屬元素檢測。只有真正的檢測了材料中的雜質(zhì)元素和間隙元素才能真正的測試出金屬材料的具體純度。在高純金屬中要控制的主要雜質(zhì)包括: 堿金屬、堿土金屬、過渡族金屬、放射性金屬(U , Th)。例如對于高純鈷, 一般要求堿金屬、堿土金屬、過渡族金屬雜質(zhì)單

元素含量小于1×10- 4% ,放射性雜質(zhì)元素的單元素含量小于 1×10- 7 % , 間隙元素含量小于幾十(10-4%)。

而高純金屬靶材則主要應用于電子元器件，濺射靶材是物理氣體相沉積技術(shù)的一種，由靶胚，背板以及部分結(jié)構(gòu)組成。濺射靶材需要在專用的機器內(nèi)完成。要求環(huán)境為高壓真空。具有良好的導電和導熱性能。